深圳市在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破
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2025-08-13 08:39
Ai快訊 記者昨日從市國(guó)資委了解到，由市屬國(guó)企深重投集團(tuán)與市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。該國(guó)創(chuàng)中心在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延，能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度，大幅提升散熱性能，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，有望從根本上解決其可靠性問題。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術(shù)瓶頸，可批量應(yīng)用于大尺寸、高質(zhì)量氮化鎵外延材料制備，為現(xiàn)有硅基氮化鎵技術(shù)路線提供了一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的替代方案，為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定基礎(chǔ)。 (深圳特區(qū)報(bào))
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