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一、產(chǎn)業(yè)鏈：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 “基石”

半導(dǎo)體材料設(shè)備是支撐芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)，貫穿 “材料 - 設(shè)備 - 制造” 全鏈條。上游材料包括硅片、光刻膠、電子氣體等，直接影響芯片性能與良率；中游設(shè)備涵蓋光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等，是制造環(huán)節(jié)的 “硬實(shí)力”；下游應(yīng)用則是晶圓廠、封裝測試等終端生產(chǎn)場景。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計 2025 年達(dá) 1210 億美元，其中中國大陸占比超 40%，成為全球最大需求市場。例如，中芯國際、華虹等本土晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)計劃，直接拉動設(shè)備采購需求，而硅片、光刻膠等材料的國產(chǎn)化率提升，則是產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的關(guān)鍵一步。

二、國產(chǎn)替代：突破關(guān)鍵技術(shù)的必然選擇

長期以來，半導(dǎo)體材料設(shè)備高度依賴進(jìn)口，高端光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等核心設(shè)備幾乎被海外壟斷。但近年來，政策支持與技術(shù)突破推動國產(chǎn)替代加速。國家大基金三期斥資 3440 億元重點(diǎn)投向設(shè)備材料領(lǐng)域，北方華創(chuàng)、中微公司等頭部企業(yè)的刻蝕、薄膜沉積設(shè)備已進(jìn)入國內(nèi)晶圓廠供應(yīng)鏈。例如，中微公司 2025 年一季度研發(fā)投入同比增長 90%，新產(chǎn)品開發(fā)周期縮短至兩年以內(nèi)。此外，國產(chǎn)硅片、光刻膠的市場份額持續(xù)提升，在成熟制程領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。隨著海外技術(shù)封鎖加劇，國產(chǎn)替代不僅是產(chǎn)業(yè)安全的 “護(hù)城河”，更是千億級市場的增長機(jī)遇。

三、行業(yè)景氣度：技術(shù)迭代與需求擴(kuò)張共振

半導(dǎo)體材料設(shè)備行業(yè)正處于 “周期 + 成長” 的雙重驅(qū)動階段。短期看，AI、汽車電子、消費(fèi)電子等需求復(fù)蘇，帶動晶圓廠資本開支增加。SEMI 數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場增長 6.5%，2025 年預(yù)計再增 7.1%。長期看，技術(shù)升級推動設(shè)備需求結(jié)構(gòu)性增長：先進(jìn)制程中，5nm 邏輯芯片需 160 次刻蝕，較 10nm 增加 50%；3D NAND 存儲堆疊層數(shù)提升，刻蝕設(shè)備支出占比從 20% 升至 50%。此外，AI 服務(wù)器對 HBM 存儲、先進(jìn)封裝的需求爆發(fā)，進(jìn)一步拉動薄膜沉積、檢測設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域。行業(yè)整體呈現(xiàn) “先進(jìn)制程放量、成熟制程穩(wěn)量” 的雙軌增長格局。尤其是先進(jìn)存儲方面，國產(chǎn)化率大幅提升。長江存儲是國內(nèi)該領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，近幾年市場份額持續(xù)提升。

四、三季度展望：政策催化與旺季需求共振

近期市場表現(xiàn)顯示，半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)在6月末以來呈現(xiàn)震蕩上行態(tài)勢，頭部企業(yè)訂單保持高景氣。展望三季度，兩大主線值得關(guān)注：一是政策催化，國家大基金三期資金逐步落地，設(shè)備材料企業(yè)有望獲得更多研發(fā)與擴(kuò)產(chǎn)支持；二是需求旺季，消費(fèi)電子如智能手機(jī)、PC備貨與 AI 服務(wù)器交付高峰，將拉動刻蝕、薄膜沉積設(shè)備需求。此外，存儲芯片價格觸底反彈，DDR4 合約價 Q3 預(yù)漲 30-40%，相關(guān)材料與設(shè)備將受益于產(chǎn)業(yè)鏈補(bǔ)庫周期。這些投資邏輯都是后續(xù)重點(diǎn)關(guān)注的地方，對板塊形成催化。

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風(fēng)險提示：觀點(diǎn)僅供參考，不構(gòu)成投資建議，市場有風(fēng)險，投資需謹(jǐn)慎。投資者在購買基金前應(yīng)仔細(xì)閱讀基金招募說明書與基金合同，請根據(jù)自身投資目的、投資期限、投資經(jīng)驗(yàn)等因素充分考慮自身的風(fēng)險承受能力，在了解產(chǎn)品情況及銷售適當(dāng)性意見的基礎(chǔ)上，理性判斷并謹(jǐn)慎做出投資決策。