Ai快訊 9月12日晚間,拓荊科技(688072)披露多則重要公告,涉及對控股子公司拓荊鍵科的增資暨關(guān)聯(lián)交易以及公司自身的定增募資預案。
公告顯示,為推動控股子公司拓荊鍵科在三維集成設(shè)備領(lǐng)域的迅速發(fā)展,拓荊鍵科擬以投前估值25億元的價格,融資共計不超過10.395億元。其中,拓荊科技擬以不超過4.5億元認繳拓荊鍵科新增注冊資本192.1574萬元,約2.71億元以上市公司對拓荊鍵科經(jīng)評估后的債權(quán)出資、約1.79億元以自有資金出資。交易完成后,拓荊科技對拓荊鍵科的出資額占本次增資后拓荊鍵科注冊資本的比例約為53.5719%。
值得關(guān)注的是,大基金三期的子基金國投集新(北京)股權(quán)投資基金(有限合伙)擬以不超過4.5億元認繳拓荊鍵科新增注冊資本192.1574萬元。交易完成后,國投集新對拓荊鍵科的出資額占本次增資后拓荊鍵科注冊資本的比例約為12.7137%。公開資料顯示,國投集新股東為國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司、國投創(chuàng)業(yè)(北京)私募基金管理有限公司,其成立于2024年12月31日,出資額710.71億元,主要出資人是大基金三期。這意味著拓荊鍵科或為大基金三期投資的第一個項目。
除國投集新和拓荊科技外,參與拓荊鍵科本次增資的投資者還有上海華虹虹芯二期創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)、員工持股平臺上海展昀禾科技合伙企業(yè)(有限合伙)、上海展昀啟科技合伙企業(yè)(有限合伙)及海寧融創(chuàng)經(jīng)開產(chǎn)業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙)。此外,拓荊鍵科現(xiàn)有股東上海鑫強匯科技合伙企業(yè)(有限合伙)擬以拓荊鍵科投前估值25億元計算,向不超過6名與公司及拓荊鍵科非關(guān)聯(lián)關(guān)系的投資方轉(zhuǎn)讓其持有拓荊鍵科79.4249萬元注冊資本,受讓方受讓股權(quán)后擬將表決權(quán)全權(quán)委托給拓荊科技行使。經(jīng)上述增資、股東股權(quán)轉(zhuǎn)讓及表決權(quán)委托事項后,拓荊科技預計將合計控制拓荊鍵科約77.7069%的表決權(quán),拓荊鍵科仍為其合并報表范圍內(nèi)的控股子公司。
大基金三期愿意以投前25億元估值投資拓荊鍵科,主要是看中其在三維集成和鍵合技術(shù)方面的潛力。拓荊鍵科主要聚焦應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域先進鍵合設(shè)備(包括混合鍵合、熔融鍵合設(shè)備)及配套使用的量檢測設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,已先后推出多款相關(guān)產(chǎn)品,且產(chǎn)品已出貨至先進存儲、邏輯、圖像傳感器等客戶,致力于為三維集成領(lǐng)域提供全面技術(shù)解決方案。
隨著AI大模型及生成式AI快速發(fā)展,對AI算力芯片需求不斷推升,HBM成為AI芯片性能突破的核心組件,引領(lǐng)先進封裝和3D堆疊技術(shù)發(fā)展,給后道封裝設(shè)備帶來激增需求,鍵合設(shè)備率先受益。據(jù)摩根大通預測,HBM TCB設(shè)備市場規(guī)模將從2024年的4.61億美元大幅增長,到2027年有望突破15億美元。Yole數(shù)據(jù)顯示,2024年混合鍵合設(shè)備市場增速達67%,其在HBM市場的滲透率將從2025年的1%躍升至2028年的36%,對應(yīng)市場規(guī)模從900萬美元爆發(fā)式增長至8.73億美元,年復合增長率超150%。財務(wù)數(shù)據(jù)顯示,拓荊鍵科2024年的營業(yè)收入、凈利潤分別為9729.50萬元、 - 213.65萬元。
同日,拓荊科技還披露定增預案,公司擬向特定對象發(fā)行股票募集資金總額不超過46億元,將用于高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、前沿技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項目建設(shè)及補充流動資金。公司表示,本次定增募投項目旨在推動高端半導體設(shè)備行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,面向行業(yè)發(fā)展需求提升公司可持續(xù)增長能力,擴充高端半導體設(shè)備產(chǎn)能增強公司核心競爭優(yōu)勢。
根據(jù)SEMI預測,全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預計將在2025年增長20%至1165億美元,2026年將增長12%至1305億美元,未來幾年將大幅增長;中國大陸市場也將在2025 - 2027年保持每年300億美元以上的投資規(guī)模,繼續(xù)引領(lǐng)全球晶圓廠設(shè)備支出。作為半導體三大核心設(shè)備之一的薄膜沉積設(shè)備在半導體設(shè)備全球銷售額中占比約22%,在晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴張背景下,以薄膜沉積設(shè)備為代表的半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪發(fā)展機遇與更廣闊市場空間。拓荊科技自成立以來始終專注于高端半導體設(shè)備研發(fā),形成了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù),達到國際先進水平,目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列,可為集成電路芯片制造產(chǎn)線提供高端專用半導體設(shè)備。
(AI撰文,僅供參考)
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