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截至2025年7月31日 10:26，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)上漲0.30%，成分股東芯股份20cm漲停，源杰科技上漲10.51%，富創(chuàng)精密上漲9.36%，寒武紀(jì)上漲2.96%，盛科通信上漲2.52%。科創(chuàng)芯片ETF(588200)上漲0.31%。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至2025年7月30日，科創(chuàng)芯片ETF近1周累計(jì)上漲4.70%。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)芯片ETF盤中換手2.5%，成交8.30億元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至7月30日，科創(chuàng)芯片ETF近1周日均成交25.85億元，排名可比基金第一。

規(guī)模方面，科創(chuàng)芯片ETF最新規(guī)模達(dá)330.12億元，創(chuàng)近1年新高，位居可比基金第一。份額方面，科創(chuàng)芯片ETF近1周份額增長(zhǎng)1.98億份，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增份額位居可比基金第一。

資金流入方面，科創(chuàng)芯片ETF最新資金凈流入4.02億元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近5個(gè)交易日內(nèi)有3日資金凈流入，合計(jì)“吸金”4.42億元。

數(shù)據(jù)顯示，杠桿資金持續(xù)布局中。科創(chuàng)芯片ETF本月以來融資凈買額達(dá)672.77萬元，最新融資余額達(dá)16.36億元。

截至7月30日，科創(chuàng)芯片ETF近1年凈值上漲69.83%，居可比基金第一，指數(shù)股票型基金排名146/2941，居于前4.96%。從收益能力看，截至2025年7月30日，科創(chuàng)芯片ETF自成立以來，最高單月回報(bào)為25.18%，最長(zhǎng)連漲月數(shù)為4個(gè)月，最長(zhǎng)連漲漲幅為36.01%，漲跌月數(shù)比為18/15，上漲月份平均收益率為8.40%，年盈利百分比為100.00%，歷史持有2年盈利概率為98.51%。截至2025年7月30日，科創(chuàng)芯片ETF近3個(gè)月超越基準(zhǔn)年化收益為5.02%。

消息方面，存儲(chǔ)芯片行業(yè)有望進(jìn)入漲價(jià)周期。DDR3、4、5現(xiàn)貨平均價(jià)月環(huán)比分別+14.05%、+33.38%、+2.75%。隨著原廠控產(chǎn)穩(wěn)價(jià)，AI與智能終端等拉動(dòng)需求回暖，存儲(chǔ)行業(yè)有望進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期。

國信證券指出，半導(dǎo)體行業(yè)迎來全面反彈，看好"宏觀政策周期、產(chǎn)業(yè)庫存周期、AI創(chuàng)新周期"三重共振下的估值擴(kuò)張行情。北美算力需求強(qiáng)勢(shì)上漲帶動(dòng)交換機(jī)及服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈增長(zhǎng)，臺(tái)積電將年收入增速預(yù)期由25%上調(diào)至30%，顯示AI需求持續(xù)強(qiáng)勁。存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)入迭代十字路口，DDR6有望加速滲透，國產(chǎn)存儲(chǔ)公司迎來升級(jí)窗口。美國發(fā)布AI行動(dòng)計(jì)劃可能進(jìn)一步限制半導(dǎo)體出口，推動(dòng)國產(chǎn)制造、設(shè)備、材料等環(huán)節(jié)加速自主可控。

數(shù)據(jù)顯示，截至2025年6月30日，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)前十大權(quán)重股分別為中芯國際、海光信息、寒武紀(jì)、瀾起科技、中微公司、芯原股份、滬硅產(chǎn)業(yè)、恒玄科技、思特威、華海清科，前十大權(quán)重股合計(jì)占比57.76%。

沒有股票賬戶的場(chǎng)外投資者可以通過科創(chuàng)芯片ETF聯(lián)接基金（017470）布局國產(chǎn)芯片投資機(jī)遇。